IPP50R399CPHKSA1
IPP50R399CPHKSA1
Modello di prodotti:
IPP50R399CPHKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15900 Pieces
Scheda dati:
IPP50R399CPHKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 330µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO220-3-1
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:399 mOhm @ 4.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:IPP50R399CP
IPP50R399CP-ND
SP000234985
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPP50R399CPHKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:890pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 560V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Tensione drain-source (Vdss):560V
Descrizione:MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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