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IPP50R399CPHKSA1
- Modello di prodotti:
- IPP50R399CPHKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15900 Pieces
- Scheda dati:
- IPP50R399CPHKSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 330µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220-3-1 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 399 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 83W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | IPP50R399CP IPP50R399CP-ND SP000234985 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPP50R399CPHKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 890pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 560V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 560V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 560V 9A TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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