IPP023N10N5AKSA1
IPP023N10N5AKSA1
Modello di prodotti:
IPP023N10N5AKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19744 Pieces
Scheda dati:
IPP023N10N5AKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.8V @ 270µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO-220-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.3 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):375W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:SP001120504
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IPP023N10N5AKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:15600pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:210nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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