Acquistare IPL60R180P6AUMA1 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 750µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-VSON-4 |
| Serie: | CoolMOS™ P6 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 176W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-PowerTSFN |
| Altri nomi: | IPL60R180P6AUMA1TR SP001017098 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPL60R180P6AUMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2080pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 22.4A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 4VSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 22.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |