IPI60R385CPXKSA1
IPI60R385CPXKSA1
Modello di prodotti:
IPI60R385CPXKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14769 Pieces
Scheda dati:
IPI60R385CPXKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 340µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO262-3
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:385 mOhm @ 5.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:IPI60R385CP
IPI60R385CP-ND
IPI60R385CPAKSA1
IPI60R385CPX
IPI60R385CPXK
SP000103250
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IPI60R385CPXKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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