IPI12CN10N G
IPI12CN10N G
Modello di prodotti:
IPI12CN10N G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17029 Pieces
Scheda dati:
IPI12CN10N G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 83µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO262-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:12.9 mOhm @ 67A, 10V
Dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:SP000208928
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPI12CN10N G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4320pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:67A (Tc)
Email:[email protected]

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