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IPG20N10S4L35AATMA1
- Modello di prodotti:
- IPG20N10S4L35AATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17931 Pieces
- Scheda dati:
- IPG20N10S4L35AATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.1V @ 16µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TDSON-8-10 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 35 mOhm @ 17A, 10V |
| Potenza - Max: | 43W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | SP001091928 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPG20N10S4L35AATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1105pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPG20N10S4L35AATMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPG20N10S4L22AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 | Inchiesta |
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IPG20N10S4L35ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Inchiesta |
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IPG20N06S2L35ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 | Inchiesta |
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IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Inchiesta |
|
IPG20N10S436AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Inchiesta |
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IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Inchiesta |
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IPG20N06S4L26AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Inchiesta |
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IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Inchiesta |
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IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Inchiesta |
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