IPG20N06S3L-35
IPG20N06S3L-35
Modello di prodotti:
IPG20N06S3L-35
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12872 Pieces
Scheda dati:
IPG20N06S3L-35.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 15µA
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TDSON-8-4
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:35 mOhm @ 11A, 10V
Potenza - Max:30W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:SP000396306
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPG20N06S3L-35
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1730pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 30W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A
Email:[email protected]

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