IPFH6N03LA G
IPFH6N03LA G
Modello di prodotti:
IPFH6N03LA G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17464 Pieces
Scheda dati:
IPFH6N03LA G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 30µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:P-TO252-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:6.2 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):71W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IPFH6N03LAGXT
SP000068589
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
codice articolo del costruttore:IPFH6N03LA G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2390pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount P-TO252-3
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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