IPD50P04P413ATMA1
IPD50P04P413ATMA1
Modello di prodotti:
IPD50P04P413ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15814 Pieces
Scheda dati:
IPD50P04P413ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 85µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3-313
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:12.6 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):58W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IPD50P04P413ATMA1TR
SP000840204
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:IPD50P04P413ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3670pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 40V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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