Acquistare IPD135N08N3GATMA1 con BYCHPS
Acquista con garanzia
IPD135N08N3GATMA1
- Modello di prodotti:
- IPD135N08N3GATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 80V 45A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14786 Pieces
- Scheda dati:
- IPD135N08N3GATMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPD135N08N3GATMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPD135N08N3GATMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 33µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 13.5 mOhm @ 45A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 79W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD135N08N3GATMA1DKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPD135N08N3GATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1730pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 80V 45A (Tc) 79W (Tc) PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 80V 45A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPD135N08N3GATMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD135N03LGXT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | Inchiesta |
 |
FDA2712 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN | Inchiesta |
 |
IPD135N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | LV POWER MOS | Inchiesta |
|
IPD135N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 | Inchiesta |
|
IPD13N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | Inchiesta |
 |
IRFU120PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK | Inchiesta |
 |
IRF3315STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | Inchiesta |
 |
GP1M011A050H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 11A TO220 | Inchiesta |
|
IPD135N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | Inchiesta |
|
STB80NE03L-06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog