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IPB80N03S4L02ATMA1
- Modello di prodotti:
- IPB80N03S4L02ATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15494 Pieces
- Scheda dati:
- IPB80N03S4L02ATMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPB80N03S4L02ATMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPB80N03S4L02ATMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 90µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 136W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IPB80N03S4L-02 IPB80N03S4L-02-ND IPB80N03S4L-02INTR IPB80N03S4L-02INTR-ND SP000273282 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPB80N03S4L02ATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9750pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 140nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 80A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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