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IPB77N06S212ATMA2
- Modello di prodotti:
- IPB77N06S212ATMA2
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17862 Pieces
- Scheda dati:
- IPB77N06S212ATMA2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 93µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11.7 mOhm @ 38A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 158W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP001061294 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPB77N06S212ATMA2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1770pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 55V 77A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 77A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPB77N06S212ATMA2
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4401DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
IPB77N06S212ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 | Inchiesta |
 |
FQP5P10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 4.5A TO-220 | Inchiesta |
 |
SUP90N04-3M3P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 90A TO-220AB | Inchiesta |
|
IPB77N06S3-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK | Inchiesta |
 |
STP8NM60D | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220 | Inchiesta |
|
IPB085N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 | Inchiesta |
 |
IRFPF40PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 4.7A TO-247AC | Inchiesta |
 |
FDMA7628 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 6QFN | Inchiesta |
 |
IRFD9020 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP | Inchiesta |
 |
NP180N04TUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7 | Inchiesta |
 |
NVMFS5826NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL | Inchiesta |
 |
BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 | Inchiesta |
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