IPB50R199CPATMA1
IPB50R199CPATMA1
Modello di prodotti:
IPB50R199CPATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13151 Pieces
Scheda dati:
IPB50R199CPATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 660µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:199 mOhm @ 9.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):139W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB50R199CP
IPB50R199CP-ND
SP000236092
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IPB50R199CPATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 550V 17A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione drain-source (Vdss):550V
Descrizione:MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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