IPB230N06L3GATMA1
IPB230N06L3GATMA1
Modello di prodotti:
IPB230N06L3GATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16058 Pieces
Scheda dati:
IPB230N06L3GATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 11µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-2
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:23 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):36W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB230N06L3 G
IPB230N06L3 G-ND
IPB230N06L3 GTR-ND
SP000457584
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPB230N06L3GATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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