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IPB17N25S3100ATMA1
IPB17N25S3100ATMA1
Modello di prodotti:
IPB17N25S3100ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17950 Pieces
Scheda dati:
IPB17N25S3100ATMA1.pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 54µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:100 mOhm @ 17A, 10V
Dissipazione di potenza (max):107W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:SP000876560
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IPB17N25S3100ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 250V 17A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione:MOSFET N-CH TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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