IPB09N03LAT
IPB09N03LAT
Modello di prodotti:
IPB09N03LAT
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14953 Pieces
Scheda dati:
IPB09N03LAT.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 20µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:8.9 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):63W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:SP000016271
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPB09N03LAT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1642pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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