IPB072N15N3 G
IPB072N15N3 G
Modello di prodotti:
IPB072N15N3 G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19878 Pieces
Scheda dati:
IPB072N15N3 G.pdf

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per IPB072N15N3 G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPB072N15N3 G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare IPB072N15N3 G con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 270µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:7.2 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB072N15N3 G-ND
IPB072N15N3G
IPB072N15N3GATMA1
SP000386664
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IPB072N15N3 G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5470pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:93nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 150V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):8V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione:MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti