Acquistare IPB05N03LB G con BYCHPS
Acquista con garanzia
IPB05N03LB G
- Modello di prodotti:
- IPB05N03LB G
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12797 Pieces
- Scheda dati:
- IPB05N03LB G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPB05N03LB G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPB05N03LB G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 40µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5 mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 94W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IPB05N03LB G-ND IPB05N03LBGINTR IPB05N03LBGXT SP000103303 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPB05N03LB G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3209pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 80A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPB05N03LB G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB05N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | Inchiesta |
|
IPB055N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | Inchiesta |
|
IPB05N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Inchiesta |
|
IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | Inchiesta |
|
IPB05N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | Inchiesta |
|
IPB05N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | Inchiesta |
|
IPB054N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB05CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB052N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB054N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB057N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog