IPB03N03LA G
IPB03N03LA G
Modello di prodotti:
IPB03N03LA G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19015 Pieces
Scheda dati:
IPB03N03LA G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.7 mOhm @ 55A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB03N03LA G-ND
IPB03N03LAGINTR
IPB03N03LAGXT
SP000087858
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPB03N03LA G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7027pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:57nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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