Acquistare IPAN60R800CEXKSA1 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 170µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220 Full Pack |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 800 mOhm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 27W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | SP001508822 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPAN60R800CEXKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 373pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Super Junction |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 8.4A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET NCH 600V 8.4A TO220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |