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IMD2AT108
- Modello di prodotti:
- IMD2AT108
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19458 Pieces
- Scheda dati:
- IMD2AT108.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IMD2AT108, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IMD2AT108 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SMT6 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 22k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 22k |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | SC-74, SOT-457 |
| Altri nomi: | IMD2AT108DKR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IMD2AT108 |
| Frequenza - transizione: | 250MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| Descrizione: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 56 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IMD2AT108
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
RN1911FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Inchiesta |
 |
PUMD19,115 | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP | Inchiesta |
|
PUMB30,115 | Nexperia USA Inc. | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Inchiesta |
|
SMUN5113DW1T1G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363 | Inchiesta |
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