IMD16AT108
IMD16AT108
Modello di prodotti:
IMD16AT108
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14616 Pieces
Scheda dati:
IMD16AT108.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SMT6
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):22k
Resistenza - Base (R1) (ohm):100k, 2.2k
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-74, SOT-457
Altri nomi:IMD16AT108-ND
IMD16AT108TR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:IMD16AT108
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Descrizione:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):-
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA, 500mA
Email:[email protected]

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