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IMB7AT108
- Modello di prodotti:
- IMB7AT108
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12509 Pieces
- Scheda dati:
- IMB7AT108.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-457 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | - |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 4.7k |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-457 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IMB7AT108 |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-457 |
| Descrizione: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | - |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IMB7AT108
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PEMD19,115 | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 | Inchiesta |
 |
UMC5NTR | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5 | Inchiesta |
 |
DMA264050R | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6 | Inchiesta |
 |
PBLS1501Y,115 | Nexperia USA Inc. | TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP | Inchiesta |
 |
UP0121300L | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5 | Inchiesta |
 |
EMH60T2R | Rohm Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 | Inchiesta |
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