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IMB1AT110
- Modello di prodotti:
- IMB1AT110
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13692 Pieces
- Scheda dati:
- IMB1AT110.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SMT6 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 22k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 22k |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-74, SOT-457 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IMB1AT110 |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6 |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 56 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IMB1AT110
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BCR08PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 | Inchiesta |
|
BCR22PNE6433HTMA1 | Infineon Technologies | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 | Inchiesta |
 |
DMC261000R | Panasonic Electronic Components | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5 | Inchiesta |
 |
DMG964020R | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Inchiesta |
 |
RN2903,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | Inchiesta |
|
UP04390G0L | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Inchiesta |
 |
DMC264020R | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 | Inchiesta |
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