HGTP2N120CN
Modello di prodotti:
HGTP2N120CN
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12306 Pieces
Scheda dati:
1.HGTP2N120CN.pdf2.HGTP2N120CN.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.4V @ 15V, 2.6A
Condizione di test:960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:25ns/205ns
di scambio energetico:96µJ (on), 355µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Potenza - Max:104W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:HGTP2N120CN
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT
carica gate:30nC
Descrizione espansione:IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-220AB
Descrizione:IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Corrente - collettore Pulsed (Icm):20A
Corrente - collettore (Ic) (max):13A
Email:[email protected]

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