Acquistare HGTG5N120BND con BYCHPS
Acquista con garanzia
HGTG5N120BND
- Modello di prodotti:
- HGTG5N120BND
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- IGBT 1200V 21A 167W TO247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13379 Pieces
- Scheda dati:
- HGTG5N120BND.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per HGTG5N120BND, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per HGTG5N120BND via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.7V @ 15V, 5A |
| Condizione di test: | 960V, 5A, 25 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 22ns/160ns |
| di scambio energetico: | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 65ns |
| Potenza - Max: | 167W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | HGTG5N120BND-ND HGTG5N120BNDFS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | HGTG5N120BND |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| carica gate: | 53nC |
| Descrizione espansione: | IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-247 |
| Descrizione: | IGBT 1200V 21A 167W TO247 |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 40A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 21A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per HGTG5N120BND
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
STGD3NB60HDT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 10A 50W DPAK | Inchiesta |
 |
TIG110BF | ON Semiconductor | IGBT 600V 27A 2W TO220 | Inchiesta |
 |
IRG4BC10SD-S | Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W D2PAK | Inchiesta |
|
SKA06N60XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 9A 32W TO220-3 | Inchiesta |
 |
FGA90N30TU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 300V 90A 219W TO3P | Inchiesta |
 |
IXGP12N120A2 | IXYS | IGBT 1200V 24A 75W TO220 | Inchiesta |
 |
IXYT30N65C3H1HV | IXYS | IGBT 650V 60A 270W TO268HV | Inchiesta |
|
NGTB10N60FG | ON Semiconductor | IGBT 600V 10A TO220F3 | Inchiesta |
 |
AOTF15B60D2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 15A | Inchiesta |
|
STGB8NC60KT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 15A 65W D2PAK | Inchiesta |
 |
IRGP4068D-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 96A 330W TO247AD | Inchiesta |
|
STGD10NC60KT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 20A 60W DPAK | Inchiesta |
|
IRG7PH46U-EP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 108A TO247 | Inchiesta |
 |
STGB10NB60ST4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 29A 80W D2PAK | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog