HGTD3N60C3S9A
HGTD3N60C3S9A
Modello di prodotti:
HGTD3N60C3S9A
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13815 Pieces
Scheda dati:
HGTD3N60C3S9A.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2V @ 15V, 3A
Condizione di test:480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:-
di scambio energetico:85µJ (on), 245µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252AA
Serie:-
Potenza - Max:33W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:HGTD3N60C3S9A
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
carica gate:10.8nC
Descrizione espansione:IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA
Descrizione:IGBT 600V 6A 33W TO252AA
Corrente - collettore Pulsed (Icm):24A
Corrente - collettore (Ic) (max):6A
Email:[email protected]

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