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GB01SLT12-252
- Modello di prodotti:
- GB01SLT12-252
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13546 Pieces
- Scheda dati:
- GB01SLT12-252.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.8V @ 1A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1200V (1.2kV) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252 |
| Velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 0ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | 1242-1126 GB01SLT12252 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | GB01SLT12-252 |
| Descrizione espansione: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 1A Surface Mount TO-252 |
| Tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrizione: | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 2µA @ 1200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 1A |
| Capacità a Vr, F: | 69pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per GB01SLT12-252
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