Acquistare GA100JT17-227 con BYCHPS
Acquista con garanzia
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | 3.42V |
| Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10 mOhm @ 100A |
| Dissipazione di potenza (max): | 535W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Altri nomi: | 1242-1314 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | GA100JT17-227 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 14400pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | - |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | 1700V (1.7kV) 160A 535W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1700V (1.7kV) |
| Descrizione: | TRANS SJT 1700V 160A SOT227 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 160A |
| Email: | [email protected] |