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GA05JT12-263
- Modello di prodotti:
- GA05JT12-263
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS SJT 1200V 15A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12514 Pieces
- Scheda dati:
- GA05JT12-263.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | 3.45V |
| Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | - |
| Dissipazione di potenza (max): | 106W (Tc) |
| imballaggio: | - |
| Contenitore / involucro: | - |
| Altri nomi: | 1242-1184 GA05JT12-220ISO GA05JT12220ISO |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | GA05JT12-263 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | - |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | 1200V (1.2kV) 15A (Tc) 106W (Tc) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | TRANS SJT 1200V 15A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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