Acquistare FQU3P50TU con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I-Pak |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQU3P50TU |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 500V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |