FQU30N06LTU
FQU30N06LTU
Modello di prodotti:
FQU30N06LTU
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13553 Pieces
Scheda dati:
1.FQU30N06LTU.pdf2.FQU30N06LTU.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I-Pak
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:39 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 44W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FQU30N06LTU
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1040pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 24A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-Pak
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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