FQU10N20CTU
FQU10N20CTU
Modello di prodotti:
FQU10N20CTU
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16916 Pieces
Scheda dati:
FQU10N20CTU.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I-Pak
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:360 mOhm @ 3.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:13 Weeks
codice articolo del costruttore:FQU10N20CTU
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:510pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 7.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-Pak
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.8A (Tc)
Email:[email protected]

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