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FQPF7N65CYDTU
- Modello di prodotti:
- FQPF7N65CYDTU
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17702 Pieces
- Scheda dati:
- FQPF7N65CYDTU.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQPF7N65CYDTU, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQPF7N65CYDTU via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 3.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 52W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FQPF7N65CYDTU |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1245pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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