FQP15P12
Modello di prodotti:
FQP15P12
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13429 Pieces
Scheda dati:
1.FQP15P12.pdf2.FQP15P12.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:200 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FQP15P12
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 120V 15A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):120V
Descrizione:MOSFET P-CH 120V 15A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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