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FQP10N20CTSTU
- Modello di prodotti:
- FQP10N20CTSTU
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13340 Pieces
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQP10N20CTSTU, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQP10N20CTSTU via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220-3 |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 360 mOhm @ 4.75A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 72W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQP10N20CTSTU |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 510pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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