FQI13N50CTU
FQI13N50CTU
Modello di prodotti:
FQI13N50CTU
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15464 Pieces
Scheda dati:
FQI13N50CTU.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I2PAK
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:480 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):195W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FQI13N50CTU
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2055pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole I2PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

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