FQI12N60TU
FQI12N60TU
Modello di prodotti:
FQI12N60TU
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12292 Pieces
Scheda dati:
FQI12N60TU.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I2PAK
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:700 mOhm @ 5.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.13W (Ta), 180W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FQI12N60TU
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 10.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole I2PAK
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10.5A (Tc)
Email:[email protected]

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