Acquistare FQD8P10TM_F085 con BYCHPS
Acquista con garanzia
FQD8P10TM_F085
- Modello di prodotti:
- FQD8P10TM_F085
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16301 Pieces
- Scheda dati:
- FQD8P10TM_F085.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQD8P10TM_F085, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQD8P10TM_F085 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-Pak |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 530 mOhm @ 3.3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | FQD8P10TM_F085-ND FQD8P10TM_F085TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FQD8P10TM_F085 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 470pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 100V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FQD8P10TM_F085
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
HUFA76413P3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 23A TO-220AB | Inchiesta |
 |
FQD8P10TM_SB82052 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK | Inchiesta |
|
FQD8P10TF_NB82052 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK | Inchiesta |
|
FQD8P10TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK | Inchiesta |
|
FQD8P10TM_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK | Inchiesta |
|
FQD8P10TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK | Inchiesta |
|
FQAF17N40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 12.2A TO-3PF | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog