FQD4N25TM_WS
FQD4N25TM_WS
Modello di prodotti:
FQD4N25TM_WS
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17987 Pieces
Scheda dati:
1.FQD4N25TM_WS.pdf2.FQD4N25TM_WS.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.75 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 37W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FQD4N25TM_WS-ND
FQD4N25TM_WSTR
FQD4N25TMWS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FQD4N25TM_WS
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 250V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione:MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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