FQD12P10TF
FQD12P10TF
Modello di prodotti:
FQD12P10TF
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12706 Pieces
Scheda dati:
1.FQD12P10TF.pdf2.FQD12P10TF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252, (D-Pak)
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:290 mOhm @ 4.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FQD12P10TF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 100V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9.4A (Tc)
Email:[email protected]

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