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FQD10N20CTM_F080
- Modello di prodotti:
- FQD10N20CTM_F080
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16464 Pieces
- Scheda dati:
- FQD10N20CTM_F080.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-Pak |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 360 mOhm @ 3.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 50W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQD10N20CTM_F080 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 510pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 7.8A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FQD10N20CTM_F080
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD10N20CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | Inchiesta |
|
FQD10N20CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | Inchiesta |
|
FQD10N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | Inchiesta |
|
FQD10N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | Inchiesta |
 |
IXFK48N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 48A TO-264 | Inchiesta |
|
FQD10N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | Inchiesta |
|
FQD10N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | Inchiesta |
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