FQB33N10TM
FQB33N10TM
Modello di prodotti:
FQB33N10TM
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13829 Pieces
Scheda dati:
FQB33N10TM.pdf

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per FQB33N10TM, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQB33N10TM via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare FQB33N10TM con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:52 mOhm @ 16.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.75W (Ta), 127W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:FQB33N10TMDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:9 Weeks
codice articolo del costruttore:FQB33N10TM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 33A (Tc) 3.75W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:33A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti