FQAF33N10L
Modello di prodotti:
FQAF33N10L
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16143 Pieces
Scheda dati:
FQAF33N10L.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3PF
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:52 mOhm @ 12.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SC-94
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FQAF33N10L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1630pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 25.8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-3PF
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:25.8A (Tc)
Email:[email protected]

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