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FQA19N20C
- Modello di prodotti:
- FQA19N20C
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 21.8A TO-3P
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15939 Pieces
- Scheda dati:
- FQA19N20C.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQA19N20C, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQA19N20C via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3PN |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 170 mOhm @ 10.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 180W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQA19N20C |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1080pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 53nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 21.8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 21.8A TO-3P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 21.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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