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FQA18N50V2
- Modello di prodotti:
- FQA18N50V2
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16996 Pieces
- Scheda dati:
- FQA18N50V2.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQA18N50V2, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQA18N50V2 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 265 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 277W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQA18N50V2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3290pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 20A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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