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FQA11N90C_F109
- Modello di prodotti:
- FQA11N90C_F109
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16632 Pieces
- Scheda dati:
- FQA11N90C_F109.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 5.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi: | FQA11N90CF109 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FQA11N90C_F109 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3290pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 900V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FQA11N90C_F109
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
AON7202 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN | Inchiesta |
 |
FQA11N90C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | Inchiesta |
|
FQA11N90 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P | Inchiesta |
 |
IRFBF30L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262 | Inchiesta |
 |
SI7382DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 | Inchiesta |
 |
BUK652R7-30C,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB | Inchiesta |
|
FQA11N90_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P | Inchiesta |
 |
SI5433BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 | Inchiesta |
 |
FDZ197PZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP | Inchiesta |
 |
IRL3502S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK | Inchiesta |
 |
PH2520U,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK | Inchiesta |
 |
FDBL0110N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 300A | Inchiesta |
|
FDA79N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 79A TO-3P | Inchiesta |
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