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FJV4103RMTF
- Modello di prodotti:
- FJV4103RMTF
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17811 Pieces
- Scheda dati:
- 1.FJV4103RMTF.pdf2.FJV4103RMTF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 22k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 22k |
| Potenza - Max: | 200mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FJV4103RMTF |
| Frequenza - transizione: | 200MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 56 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FJV4103RMTF
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