FDW2501N
Modello di prodotti:
FDW2501N
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19411 Pieces
Scheda dati:
FDW2501N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-TSSOP
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:18 mOhm @ 6A, 4.5V
Potenza - Max:600mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDW2501N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1290pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

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