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FDV302P_NB8V001
- Modello di prodotti:
- FDV302P_NB8V001
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19381 Pieces
- Scheda dati:
- 1.FDV302P_NB8V001.pdf2.FDV302P_NB8V001.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-23 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 350mW (Ta) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | FDV302P_NB8V001CT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FDV302P_NB8V001 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 11pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.31nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 25V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 120mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FDV302P_NB8V001
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